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二酸化バナジウムと温度依存性の光学モデルの原子層堆積法

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Atomic Layer Deposition of Vanadium Dioxide and a Temperature-dependent Optical Model

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二酸化バナジウムと温度依存性の光学モデルの原子層堆積法

DOI:

10.3791/57103-v

•

11:10 min

•

May 23, 2018

•

Marc Currie, Michael A. Mastro, Virginia D. Wheeler

¹Naval Research Laboratory

Chapters

00:04Title
00:56Atomic Layer Deposition (ALD) of Amorphous Vanadium Dioxide (VO₂) on Sapphire Substrates
03:06Annealing Amorphous VO₂ Thin Films
04:45Characterization of VO₂ Films by Raman Spectroscopy
05:43Characterization of VO₂Films by X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)
07:31Morphological Characterization by Atomic Force Microscopy (AFM)
09:06Results: Characterization of Amorphousand Crystalline VO₂ Films
10:49Conclusion

Summary

Automatic Translation

二酸化バナジウム (VO₂) の薄膜 (100-1000 Å) は、サファイア基板上の原子層堆積法 (ALD) によって作成されました。次に、光学特性は VO₂の金属-絶縁体転移によって特徴付けられました。測定の光学特性から VO₂の可変の屈折を記述するモデルを作成しました。

Tags

Keywords: Atomic Layer Deposition Vanadium Dioxide Temperature-dependent Optical Model Phase Change Materials Thin Film Deposition Sapphire Substrate Ozone TEMAV Metal-insulator Transition Refractive Index Annealing Ultra-high Vacuum

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