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Diseño de películas de silicio poroso como portadores de Factor de crecimiento nervioso
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Designing Porous Silicon Films as Carriers of Nerve Growth Factor
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Diseño de películas de silicio poroso como portadores de Factor de crecimiento nervioso

DOI:
10.3791/58982-v

•

10:12 min

•

January 25, 2019

•

, , ,
1Department of Biotechnology and Food Engineering,Technion – Israel Institute of Technology, 2Faculty of Engineering,Bar-Ilan University, 3Bar-Ilan Institute of Nanotechnologies and Advanced Materials, 4Russell Berrie Nanotechnology Institute,Technion – Israel Institute of Technology

Chapters

  • 00:04Title
  • 00:57Oxidized Porous Silicon (PSiO2) Carrier Fabrication
  • 02:10Nerve Growth Factor (NGF) Loading and Quantification and In Vitro NGF Release from PSiO2 Carriers
  • 04:42Cell Viability and Growth in the Presence of NGF-Loaded PSiO2 Carriers
  • 06:00Cell Differentiation Analysis
  • 07:27Results: Representative Effects of NGF-Loaded PSiO2 Carriers on Neuronal Growth and Development
  • 08:58Conclusion

Summary

Automatic Translation

Automatic Translation

Aquí, presentamos un protocolo para el diseño y fabricación de películas de silicio poroso (PSi) nanoestructurados como portadores degradables para el factor de crecimiento nervioso (NGF). La diferenciación neuronal y en consecuencia de PC12 células y ratones raíz dorsal (GRD) del ganglio las neuronas se caracterizan sobre el tratamiento con los portadores cargados de NGF PSi.

Tags

Keywords: Porous SiliconNerve Growth FactorNGFCarrierBioactive ProteinReservoir ImplantFabrication ProcessElectrochemical EtchingThermal OxidationLoading SolutionELISA

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