/

/

薄膜トランジスタの酸化アルミニウム誘電体層に及ぼす陽極化パラメータの効果

JoVE Journal
Chemistry
Author Produced

A subscription to JoVE is required to view this content. Sign in or start your free trial.

JoVE Journal Chemistry

The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors

Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

薄膜トランジスタの酸化アルミニウム誘電体層に及ぼす陽極化パラメータの効果

DOI:

10.3791/60798-v

•

12:32 min

•

May 24, 2020

•

Tiago C. Gomes*¹, Dinesh Kumar*², Neri Alves*¹, Jeff Kettle*², Lucas Fugikawa-Santos*³

¹School of Technology and Sciences,São Paulo State University – UNESP, ²Scholl of Electronic Engineering,Bangor University, ³Institute of Geosciences and Exact Sciences,São Paulo State University – UNESP

Chapters

00:00Introduction
02:48Preparation of the Electrolytic Solution
03:55Substrate Cleaning
05:24Al Gate Electrode Evaporation
06:31Anodization of the Al Layer
07:41ZnO Active Layer Deposition
08:38Drain and Source Electrodes Deposition
09:36TFT Electrical Characterization
10:09Results
11:22Conclusion

Summary

Automatic Translation

酸化亜鉛薄膜トランジスタ(TfT)の酸化アルミニウム誘電体層の成長のための陽極酸化パラメータは、電気的パラメータ応答に及ぼす影響を決定するために変化する。分散分析(ANOVA)は、実験のプラケット・バーマン計画(DOE)に適用され、デバイス性能の最適化をもたらす製造条件を決定します。

Tags

Aluminum Oxide Anodization Thin-film Transistors Dielectric Layer Electrolytic Solution Substrate Cleaning Aluminum Electrode Deposition Anodization Process Electrical Characterization Plackett-Burman Design Of Experiments

Article

Embed

ADD TO PLAYLIST

Usage Statistics

Related Videos

層ごとの合成と自立共役高分子ナノ薄膜マイクロポーラスの譲渡

CdSeの@のCdSナノロッド上にイリジウム酸化物ナノ粒子の光化学酸化成長

原子層堆積法を介してゲルマニウム上のペロブスカイト型チタン酸ストロンチウムのエピタキシャル成長

TiOにおける界面化学結合の影響<sub> 2</sub> -SiO<sub> 2</sub>光触媒NOx低減性能に関する複合材料

化学合成チタン酸バリウム多孔質セラミックス薄膜の気孔率誘起歪による強誘電相の熱安定化

急速な充放電リチウム鉄リン酸グラファイト電池劣化で異なる温度での効果

Bis(thiourea) カドミウム塩化物結晶とその後の Cd より太くケミカルバス沈着に紫外線照射の効果

ミル-96、UiO-66-NH₂原子層のソルボサーマル合成繊維のマット上金属酸化皮膜に堆積

マンガン酸化物触媒の光活性化用ポリ酸を用いた光応答性膜の作製

薄膜白金マクロ及びマイクロ電極の電気化学粗化

Read Article