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박막 트랜지스터의 알루미늄 산화물 유전체 층에 대한 양극 산화 매개변수의 영향
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Chemistry
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JoVE Journal Chemistry
The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
DOI:

12:32 min

May 24, 2020

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Chapters

  • 00:00Introduction
  • 02:48Preparation of the Electrolytic Solution
  • 03:55Substrate Cleaning
  • 05:24Al Gate Electrode Evaporation
  • 06:31Anodization of the Al Layer
  • 07:41ZnO Active Layer Deposition
  • 08:38Drain and Source Electrodes Deposition
  • 09:36TFT Electrical Characterization
  • 10:09Results
  • 11:22Conclusion

Summary

Automatic Translation

아연 산화물 박막 트랜지스터 (TIT)의 알루미늄 산화물 유전체 층의 성장을위한 양극 산화 매개변수는 전기 적 매개 변수 응답에 미치는 영향을 결정하기 위해 다양합니다. 분산 분석(ANOVA)은 Plackett-Burman 실험 설계(DOE)에 적용되어 최적화된 장치 성능을 초래하는 제조 조건을 결정합니다.

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