/
/
ייצור של דיודות Schottky על Heterostructure BeMgZnO/ZnO Zn-הקוטב גדלה פלזמה בסיוע קרן מולקולרית Epitaxy
This content is Free Access.
Chapitres
- 00:04Titre
- 01:01Growth and Preparation of GaN Template by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
- 04:42Molecular Beam Epitaxy (MBE) Growth of BeMgZnO/ZnO Heterostructures
- 08:35Schottky Diode Fabrication
- 10:09Results: Characterization of Zn-Polar Be0.02Mg0.26ZnO/ZnO Heterostructures and Ag/Be0.02Mg0.26ZnO/ZnO Schottky Diodes
- 12:07Conclusion
הפרי באיכות גבוהה Schottky אנשי קשר הכרחי להשגת שער יעיל אפנון ב heterostructure השדה אפקט טרנזיסטורים (HFETs). אנו מציגים את מתודולוגיית ייצור ומאפיינים של דיודות Schottky על heterostructures BeMgZnO Zn-הקוטב/ZnO בגז בצפיפות גבוהה שני אלקטרונים תלת-ממדי (2DEG), מיוצרת על ידי פלזמה בסיוע קרן מולקולרית epitaxy על גן תבניות.
Tags
Keywords: Schottky DiodesZn-polar BeMgZnO/ZnO HeterostructurePlasma-assisted Molecular Beam EpitaxyZinc OxideHeterojunction Field Effect TransistorsTwo-dimensional Electron GasHigh-frequencyHigh-power Field Effect TransistorsElectron SaturationSchottky Contact StabilitySolar Plant DetectorsChemical SensorsBiosensorsSapphire SubstrateMetal Organic CVDAluminum NitrideGallium Nitride
