/
/
Moleküler ışın plazma destekli Epitaxy tarafından yetiştirilen Zn-kutup BeMgZnO/ZnO Heterostructure üzerinde Schottky diyotlar imalatı
This content is Free Access.
Chapitres
- 00:04Titre
- 01:01Growth and Preparation of GaN Template by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
- 04:42Molecular Beam Epitaxy (MBE) Growth of BeMgZnO/ZnO Heterostructures
- 08:35Schottky Diode Fabrication
- 10:09Results: Characterization of Zn-Polar Be0.02Mg0.26ZnO/ZnO Heterostructures and Ag/Be0.02Mg0.26ZnO/ZnO Schottky Diodes
- 12:07Conclusion
Yüksek kaliteli Schottky kişiler kazanma verimli kapısı modülasyon heterostructure alan etkili transistörler (HFETs) içinde ulaşmak için şarttır. Biz imalat metodolojisi ve GaN şablonları temel moleküler ışın plazma destekli epitaxy tarafından yetiştirilen Schottky diyotlar Zn-kutup BeMgZnO/ZnO heterostructures yüksek yoğunluklu iki boyutlu elektron gaz (2DEG), ile üzerinde özellikleri mevcut.
Tags
Keywords: Schottky DiodesZn-polar BeMgZnO/ZnO HeterostructurePlasma-assisted Molecular Beam EpitaxyZinc OxideHeterojunction Field Effect TransistorsTwo-dimensional Electron GasHigh-frequencyHigh-power Field Effect TransistorsElectron SaturationSchottky Contact StabilitySolar Plant DetectorsChemical SensorsBiosensorsSapphire SubstrateMetal Organic CVDAluminum NitrideGallium Nitride
