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Fabricação de diodos de Schottky na Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure cultivadas por Epitaxia de feixe Molecular assistido por Plasma
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Journal JoVE Ingénierie
Fabrication of Schottky Diodes on Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

Fabricação de diodos de Schottky na Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure cultivadas por Epitaxia de feixe Molecular assistido por Plasma

DOI:
10.3791/58113-v

•

14:16 min

•

October 23, 2018

•

, , , , ,
1Department of Electrical and Computer Engineering,Virginia Commonwealth University

Chapitres

  • 00:04Titre
  • 01:01Growth and Preparation of GaN Template by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
  • 04:42Molecular Beam Epitaxy (MBE) Growth of BeMgZnO/ZnO Heterostructures
  • 08:35Schottky Diode Fabrication
  • 10:09Results: Characterization of Zn-Polar Be0.02Mg0.26ZnO/ZnO Heterostructures and Ag/Be0.02Mg0.26ZnO/ZnO Schottky Diodes
  • 12:07Conclusion

Summary

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Realização de contatos de Schottky de alta qualidade é fundamental para alcançar a modulação eficiente portão em transistores de efeito de campo heterostructure (virais). Apresentamos a metodologia de fabricação e características de diodos de Schottky na BeMgZnO/ZnO Zn-polar estende com gás de elétrons dimensional dois high-density (2DEG), cultivadas por Epitaxia de feixe molecular assistido por plasma em modelos de GaN.

Tags

Keywords: Schottky DiodesZn-polar BeMgZnO/ZnO HeterostructurePlasma-assisted Molecular Beam EpitaxyZinc OxideHeterojunction Field Effect TransistorsTwo-dimensional Electron GasHigh-frequencyHigh-power Field Effect TransistorsElectron SaturationSchottky Contact StabilitySolar Plant DetectorsChemical SensorsBiosensorsSapphire SubstrateMetal Organic CVDAluminum NitrideGallium Nitride

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