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Fabricación de diodos de Schottky en Zn-polar heteroestructura de BeMgZnO/ZnO por Epitaxy de viga Molecular asistida por Plasma
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Chapitres
- 00:04Titre
- 01:01Growth and Preparation of GaN Template by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
- 04:42Molecular Beam Epitaxy (MBE) Growth of BeMgZnO/ZnO Heterostructures
- 08:35Schottky Diode Fabrication
- 10:09Results: Characterization of Zn-Polar Be0.02Mg0.26ZnO/ZnO Heterostructures and Ag/Be0.02Mg0.26ZnO/ZnO Schottky Diodes
- 12:07Conclusion
Consecución de contactos Schottky de alta calidad es imprescindible para lograr la modulación eficiente puerta en transistores de efecto de campo de heteroestructura (HFETs). Presentamos la metodología de fabricación y características de los diodos de Schottky en heteroestructuras de Zn-polar BeMgZnO/ZnO con alta densidad gas dos de dimensiones del electrón (2DEG), crecidos por epitaxy de viga molecular asistida por plasma en plantillas de GaN.
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Keywords: Schottky DiodesZn-polar BeMgZnO/ZnO HeterostructurePlasma-assisted Molecular Beam EpitaxyZinc OxideHeterojunction Field Effect TransistorsTwo-dimensional Electron GasHigh-frequencyHigh-power Field Effect TransistorsElectron SaturationSchottky Contact StabilitySolar Plant DetectorsChemical SensorsBiosensorsSapphire SubstrateMetal Organic CVDAluminum NitrideGallium Nitride
