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Nanofabrication de la porte définis-GaAs / AlGaAs latéraux Quantum Dots
 
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Nanofabrication de la porte définis-GaAs / AlGaAs latéraux Quantum Dots

Article DOI: 10.3791/50581-v 15:47 min November 1st, 2013
November 1st, 2013

챕터

요약

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Cet article présente un protocole de fabrication détaillé pour porte-définies semi-conducteurs latéraux points quantiques sur des hétérostructures d'arséniure de gallium. Ces dispositifs nanométriques sont utilisés pour piéger quelques électrons pour être utilisé comme bits quantiques dans le traitement quantique de l'information ou pour d'autres expériences mésoscopiques telles que les mesures de conductance cohérentes.

Tags

Physique Numéro 81 Nanostructures les points quantiques la nanotechnologie la microélectronique la physique de l'état solide nanofabrication la nanoélectronique Spin qubit latéral quantum dot
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