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Calcul théorique et vérification expérimentale pour la réduction de la dislocation dans les couches épitaxiales de germanium avec vides semi-cylindriques sur silicium
 
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Calcul théorique et vérification expérimentale pour la réduction de la dislocation dans les couches épitaxiales de germanium avec vides semi-cylindriques sur silicium

Article DOI: 10.3791/58897-v • 06:57 min • July 17th, 2020
July 17th, 2020 •
1, 2, 1, 1,3
1Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, 2Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 3Department of Materials Science and Engineering, Massachusetts Institute of Technology

챕터

요약
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Le calcul théorique et la vérification expérimentale sont proposés pour une réduction de la densité de dislocation du filetage (TD) dans les couches épitaxiales de germanium avec des vides semi-cylindriques sur silicium. Les calculs basés sur l’interaction des TD et de la surface via la force d’image, les mesures TD et les observations de TD au microscope électronique à transmission sont présentés.

Tags

Ingénierie numéro 161 Photonique sur silicium germanium Ge croissance cristalline croissance épitaxiale sélective densité de dislocation du filetage force d’image calcul théorique dépôt chimique en phase vapeur CVD microscope électronique à transmission TEM
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