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Rendering di siO2/Si Superfici omnifobiche da intaglio Gas-Entrapping Microtextures Comprising Reentrant e Doubly Reentrant Cavities or Pillars
 
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Rendering di siO2/Si Superfici omnifobiche da intaglio Gas-Entrapping Microtextures Comprising Reentrant e Doubly Reentrant Cavities or Pillars

Article DOI: 10.3791/60403-v 08:02 min February 11th, 2020
February 11th, 2020

챕터

요약

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Questo lavoro presenta protocolli di microfabbricazione per il raggiungimento di cavità e pilastri con profili rientranti e doppiamente rientranti sui wafer SiO2/Si utilizzando la fotolitografia e l'incisione a secco. Le superfici microstrutturate risultanti dimostrano una notevole repellenza liquida, caratterizzata da una robusta intrappolamento dell'aria a lungo termine sotto liquidi umidi, nonostante l'intrinseca bagnabilità della silice.

Tags

Ingegneria numero 156 bagnatura onnifonità etching reentrant e doppiamente rientrante microtexture di intrappolamento del gas (DGM) fotolitografia incisione isotropica incisione anisotropica crescita di ossido termico incisione di ioni reattivi angoli di contatto microscopia confocale immersione
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