Waiting
Login processing...

Trial ends in Request Full Access Tell Your Colleague About Jove
JoVE Journal Engineering
Click here for the English version

Engineering

Новый метод для Published: June 2, 2017 doi: 10.3791/55735
Automatic Translation
1,2, 1, 1,3
1Materials Science and Technology Division, US Naval Research Laboratory, 2American Society for Engineering Education—Naval Research Laboratory (ASEE-NRL), 3Leidos Corporation

Summary

Изолирование электрических и тепловых воздействий на электрическую деформацию (EAD) очень сложно с использованием макроскопических образцов. Были разработаны микро- и наноструктуры металлических образцов вместе с пользовательской процедурой испытаний для оценки влияния приложенного тока на формацию без джоулева нагрева и эволюции дислокаций на этих образцах.

Abstract

Электродвигательная деформация (EAD) все чаще используется для улучшения формуемости металлов во время процессов, таких как прокатка и ковка листового металла. Принятие этой методики происходит, несмотря на несогласие с основным механизмом, ответственным за EAD. Описанная здесь экспериментальная процедура позволяет провести более явное исследование по сравнению с предыдущими исследованиями EAD, удалив термические эффекты, которые отвечают за несогласие в интерпретации предыдущих результатов EAD. Кроме того, поскольку описанная здесь процедура позволяет наблюдать EAD in situ и в реальном времени в просвечивающем электронном микроскопе (TEM), она превосходит существующие посмертные методы, которые наблюдают последействие EAD после теста. Испытательные образцы состоят из монокристаллической меди (SCC), имеющей свободно стоящую испытательную секцию растяжения наноразмерной толщины, изготовленную с использованием комбинации лазерного и ионно-лучевого фрезерования. SCC монтируется на протравленную силиконовую основу, которая обеспечивает мнеХодовой и электрической изоляции во время работы в качестве радиатора. Используя эту геометрию, даже при большой плотности тока (~ 3500 А / мм 2 ), испытательная секция испытывает незначительное повышение температуры (<0,02 ° C), тем самым устраняя эффекты джоулева нагрева. Мониторинг деформации материала и определение соответствующих изменений микроструктур, например дислокаций, осуществляется путем приобретения и анализа серии изображений ТЕА. Наши процедуры подготовки проб и проведения экспериментов на месте являются надежными и универсальными, так как они могут быть легко использованы для испытаний материалов с различными микроструктурами, например , одной и поликристаллической меди.

Introduction

Электродвигательная деформация (EAD) является полезным инструментом для процессов деформации металла, таких как ковка, штамповка, экструзия и т . Д. Процесс EAD включает в себя применение электрического тока через металлическую заготовку во время деформации, что значительно улучшает формуемость металла за счет снижения напряжений потока, увеличения напряжения до отказа и иногда устранения упругого возврата после формирования 1 , 2 , 3 . Несмотря на рост использования, не существует консенсуса относительно механизма, посредством которого EAD улучшает формуемость металлов. В настоящем документе описывается подготовка образца и процедура испытаний для эксперимента, в котором можно выделить потенциально конкурирующие механизмы EAD и обеспечить возможность микроструктурного исследования in situ во время тестирования.

Существуют две гипотезы для влияния EAD на формирование металла. Первая гипотеза, эффект джоулева нагрева, staЧто приложенный ток сталкивается с электрическим сопротивлением в формовочном металле, что приводит к увеличению температуры и приводит к размягчению и расширению материала. Вторая гипотеза называется электропластикой, в которой электрический ток увеличивает деформацию за счет снижения энергии активации дислокаций. Обе эти гипотезы возникли из экспериментов в 1970-х годах с участием кратковременных импульсов тока, применяемых к механически деформирующимся металлам 4 , 5 . Более поздние исследования обычно включают в себя импульсы постоянного тока меньшего тока, которые более актуальны для производственных применений, но исследователи продолжают не соглашаться на их интерпретацию данных EAD.

Интерпретация данных EAD затруднена из-за сильно связанной природы приложенного электрического тока и увеличения тепловой энергии. Даже малые плотности тока в высокопроводящих металлах могут значительно повышать температуру материала; Например , 130-240 ° С с плотностью тока 33-120 А / мм 2 для различных сплавов алюминия и меди 6 , 7 , 8 , 9 . Это изменение температуры может существенно повлиять на модуль упругости, предел текучести и стресс потока, что затрудняет различие между тепловыми и электропластическими эффектами. Подчеркивая эту трудность, можно найти последние исследования, поддерживающие гипотезу о джоулевом нагреве или гипотезу электропластичности. Например, изучая электромеханическую деформацию в различных сплавах алюминия, меди и титана, исследователи сообщили, что электропластичность способствовала усиленной деформации, потому что эффект не мог быть объяснен только разогревом Джоуля 1 , 6 , 7 . Контрастность этих отчетов - исследования, которые учитывают снижение напряжения EAD в tИталия, нержавеющей стали и Ti-6Al-4V до тепловых эффектов 10 , 11 .

Термическое управление не относится к исследованиям EAD, но, скорее, является общей проблемой при исследовании свойств электромеханических материалов. Особенно в крупных образцах, где центр масс глубоко изолирован от окружающего, поддержание однородной температуры может быть сложным. Еще одной проблемой электромеханического тестирования, связанной с размером образца, является способность выполнять in situ и наблюдения в реальном времени фундаментальных изменений микроструктуры, связанных с электромеханическим напряжением. Механические испытания на месте TEM обычно проводятся на стандартных образцах 12, но неравномерное поперечное сечение образцов будет создавать зависящие от геометрии изменения плотности тока и теплопередачи вблизи калибровочной секции. Подводя итог, основные проблемы при наблюдении и интерпретации EA D связаны с размером образца и могут быть суммированы следующим образом: 1) термоэлектрическая связь влияет на температуру образца, что затрудняет выделение единого предлагаемого механизма EAD и 2) стандартные образцы и процедуры испытаний не существуют для in situ , в режиме реального времени Изучение материала при растяжении при приложении электрического тока. Устранение этих проблем возможно, выполняя эксперименты EAD на образце с секцией сверхнизкого объема в просвечивающем электронном микроскопе (TEM), контролируя электрический ток, механическую нагрузку и температуру.

В этой статье мы описываем процедуру подготовки и испытания образца для эксперимента EAD, в котором эффекты джоулева нагрева незначительны, используя структуру образца с микро / наноразмерным сечением (10 мкм × 10 мкм × 100 нм), прикрепленным к большему Стабилизирующая опорная рама. Благодаря аналитическому и численному моделированию было показаноЧто при этой конфигурации даже большие плотности тока (~ 3500 А / мм 2 ) привели к очень небольшому увеличению температуры образца (<0,02 ° С). Трехмерная схема микроэлектронной системы электромеханических испытаний на микроуровне (MEMTS) показана на рисунке 1. Еще одно важное преимущество метода, представленного здесь, состоит в том, что вместо того, чтобы анализировать образцы после теста, как это часто делается 14 , структура образца и опорная рама предназначены для установки непосредственно в просвечивающий электронный микроскоп ( TEM), оснащенный возможностью одновременного использования как электрических, так и механических нагрузок.Эта установка позволяет наблюдать в реальном времени деформацию материала при разрешении нано-атомного уровня. Хотя монокристаллические образцы меди используются для описанной здесь процедуры , Этот способ является достаточно гибким для применения к другим образцам материала, включаяМеталлов, керамики и полимеров 15 , 16 .

Protocol

1. Микрообработка Si-рамок

  1. Спиновое покрытие (3000 об / мин и 30 с) фоторезист SPR220-7 (PR) на Si-платформе толщиной 180 мкм. Используйте достаточно PR, чтобы полностью покрыть пластину. Кристаллическая плоскость ориентации пластины не важна.
  2. Мягкое выпекание пластины с PR-слоем (толщиной около 7,5 мкм) при 60 ° C в течение 2 минут, а затем при 115 ° C в течение 90 с на плите.
  3. Экспозиция слоя PR к ультрафиолетовому излучению через узорную хромовую / стеклянную фотомаску, которая позволяет свету проходить через нее, чтобы определить форму рамы Si. Используйте стандартное фотолитографическое оборудование и процессы для этого шага и следующего ( рис. 2a-b ).
  4. Разработайте образцы, выставленные через фотомаску, погружая Si-пластину с PR на нее в неразбавленном MF 24A или MF 319 в течение примерно 1 минуты ( рисунок 2c ). Образец PR-слоя служит в качестве маски во время шага 1.6.
  5. Свяжите пластину Si толщиной 180 мкм с подложкой Si wafe толщиной 500 мкмR с использованием временного клея с низкой температурой плавления для упрощения обработки ( подробнее см. Таблицу материалов ). Нагрейте адгезив в стеклянной посуде с помощью горячей плиты (70 ° C) и используйте достаточно клея для покрытия опорной пластины. Затем слегка надавите на кремниевую пластину толщиной 180 мкм на пластину толщиной 500 мкм ( рис. 2d ).
  6. Etch через верхнюю кремниевую пластину сверху, чтобы создать отдельно стоящие структуры. Используйте любое количество коммерчески доступных индуктивно связанных плазменных реактивных ионных травильных систем, которые используют процесс Bosch с газами SF 6 и C 4 F 8 для этапа травления. В процессе Bosch чередующиеся циклы осаждения пассивирующего слоя и плазменного травления приводят к глубоко вытравленным траншеям с почти неповрежденными боковыми стенками) (рис. 2е).
    1. Начните с потоков 3 и 100 sccm SF 6 и C 4 F 8 в течение 5 с во время осаждения и 100 и 2,5 сантиметров SF3 и C 4 F
  7. Каждые 20 минут измерьте глубину протравленной траншеи с помощью профилометра для калибровки скорости травления, характерной для инструментов и рецепта травления.
  8. Отсоедините опорную пластину Si и очистите тонкую пластину Si, удалив временный клей и PR, используя ночную ацетоновую смолу ( рис. 2f ). Затем тщательно промойте тонкую пластину деионизированной (DI) водой.
  9. Помещают изоляционный слой SiO 2 при 300 ° С по обе стороны рамы Si, используя любую коммерчески доступную систему плазменного химического осаждения из паровой фазы (PECVD) с газами SiH 4 , N 2 O и N 2 ( рисунок 2g ). Используйте стандартные рецептуры осаждения SiO 2 , например , используйте 5% SiH 4 при 170 сантиметрах и N 2 O при 710 сантиметров, Чтобы осадить слой SiO 2 толщиной 2-3 мкм.
  10. Разбейте вкладки, соединяющие отдельные прямоугольные рамки Si с окружающими структурами. Используйте острые пинцеты под оптическим микроскопом ( рисунок 2h ).

2. Лазерная наметка металлических образцов

  1. Вырежьте кусок медной фольги размером 5,0 см х 5,0 см (чистота 99,99%, см. Таблицу материалов ) и прикрепите ее лентой к стеклянному слайду. Спиновое покрытие с обеих сторон слоем PR толщиной 1 мкм. В то время как фольга с широким диапазоном толщины (до 100 мкм) может быть разрезана лазерными методами, здесь для демонстрации используют две разные толщины (13 мкм и 25 мкм). Используйте достаточный PR для полного покрытия поверхностей. Выпекать PR при 115 ° C в течение 2 мин. PR необходим для защиты поверхности медной фольги от обломков, полученных во время этапа лазерной резки, и для химического травления пучков образцов (см. Шаг 2.4), не затрагиваяЕ поверхности фольги.
  2. Используя импульсный импульсный лазер Nd: YVO 4 мощностью 355 нм, 10 Вт, с трехфазным импульсом с частотой 50 кГц с длительностью импульса ~ 90 нс, вырезали массив из 5 4 отдельных образцов, каждый из которых удерживался медной рамой длиной 4 мм Шириной 1 мм ( рисунок 3b ).
  3. Настройте лазерный луч на плотность 65 мДж / см 2 на поверхности медной фольги. Это обеспечивает достаточную энергию лазера для обрезания меди в два прохода без чрезмерного нагрева и / или повреждения соседней меди. Образец для каждого образца генерируется зеркальным зеркалом Galvo, который сканирует лазерный луч для обрезки медной фольги, генерирующей по 20 образцов за раз ( рис. 3а ). Отрегулируйте ширину луча образца лазерной резки от 30 мкм (для фольги толщиной 13 мкм) до 50 мкм (для фольги толщиной 25 мкм).
  4. Химически протравливать массив образцов, погружая его в 40% жидкий хлорид железа при 40-60 ° С в течение 30 с (для фольги толщиной 13 мкм) или 40 с (для tОн фольга толщиной 25 мкм) для удаления потенциально поврежденных краев для лазерной резки, уменьшения ширины отдельных лучей образца ниже 20 мкм ( рис. 3c ) и получения гладкого профиля края луча.
  5. Удалите защитный фоторезист, погрузив массивы в отдельные ванны с растворителем из первого ацетона, затем метанолом, а затем изопропанолом, а затем высушите азотом. Храните образцы образцов в сухом эксикаторе азота. Схема поперечного сечения вышеуказанных этапов изготовления показана на рисунке 3d .
  6. Используйте лазер, чтобы вырезать коробку вокруг массива образцов, освободив ее от остальной части медной фольги.

3. Собрания и эксперименты ТЭМ на месте

  1. Отсоедините отдельный образец (включая его медный каркас) с помощью мини-ножниц. Поместите небольшое количество серебряной эпоксидной смолы на кремниевую раму и аккуратно выровняйте образец под оптическим микроскопом, так что образец образца охватывает узкий зазор в центреE ( рисунок 4a ).
  2. Подобно шагу 3.1, соедините серебряные провода (диаметром 50 мкм) с обоими концами образца серебряной эпоксидной смолой ( рис. 5в ).
  3. Используйте фрезерование сфокусированного ионного пучка (FIB) для создания участка наноразмера (100 нм x 10 мкм × 10 мкм) с несколькими плечами. Постепенно более толстые поперечные сечения, удаляющиеся от калибровочной секции, предназначены для обеспечения плавного перехода в плотности тока, более равномерной плотности тока в измерительной секции и для минимизации локализованного нагрева на любом данном плече. Чтобы минимизировать ущерб, используйте уменьшенное ускоряющее напряжение (5 кВ) и ток (<80 pA) во время окончательного фрезерования образцов меди. Измерьте площадь поперечного сечения датчика с помощью изображений сканирующего электронного микроскопа (SEM) ( рис. 4b-e и 5b ).
  4. Удалите рамы для образцов с помощью лазерной резки, FIB или мини-ножниц (см. Вставку на рисунке 4a ). Хотя это не так, на изображении,F разрез должен идеально удаляться от измерительной секции, чтобы свести к минимуму возможный материальный ущерб измерительной секции.
  5. Установите MEMTS на один держатель TEM с натягом TEM (см. Таблицу материалов ) под оптическим микроскопом, а затем прикрепите его с помощью болтов и непроводящих шайб. Шайбы используются для предотвращения нежелательного кручения во время сборки. Используйте шайбы (толщиной 0,5 мм), выполненные по образцу из жесткого волокна с использованием 50 -вольтовой системы CO 2 (см. Таблицу материалов для конкретных параметров во время лазерной резки).
  6. Соедините серебряные провода с шага 3.2 с металлическими штифтами ( рис. 5а ) на держателе ТЕА, используя серебряную проводящую эпоксидную смолу.
  7. Используя ручной или настольный мультиметр, проверьте сопротивление на MEMTS (B и C на рисунке 1 ), чтобы убедиться, что участок датчика не сломан. Сопротивление должно быть менее 100 Ом. Также измерьте сопротивление между MEMTS и электрически заземленным держателем образца ТЕА, чтобы подтвердить, что между образцом и держателем ТЕА нет электрического перекрестного помеха. Если образец изолирован, измеренное сопротивление должно быть больше 10 МОм.
  8. Поместите держатель TEM с помощью MEMTS в TEM для экспериментов на месте .
  9. Подключите внешний источник питания постоянного тока (см. Таблицу материалов ) к встроенным электрическим входам в держателе ТЕА для подачи входных сигналов постоянного тока к образцу снаружи камеры ТЕА для управления электрическим током. Расположение электрических соединений будет зависеть от производителей держателей ТЕА, но для этого исследования соединения были расположены на рукоятке держателя, а штыревые разъемы использовались для подачи питания от источника к образцам ТЕА. Получите номинальную плотность тока в измерительной секции, разделив входной ток на площадь поперечного сечения (полученную из изображения SEM на рисунке 5b ).
    ПРИМЕЧАНИЕ. Единственный наклон sОбучающий держатель TEM содержит встроенный привод, который управляется отдельным контроллером смещения ( таблица материалов ).
  10. Управляя механической и электрической нагрузкой, приобретайте TEM-изображения во время последующих шагов. Могут также использоваться другие нагрузки на нагрузку и ток.
  11. Применяйте растягивающую деформацию постепенно небольшими шагами в зависимости от разрешения встроенного пьезопривода (~ 0,34 нм в этом примере) до тех пор, пока не будет наблюдаться движение одной или многих дислокаций в одно и то же время. Это важный шаг, так что любое дополнительное увеличение тепловой и / или электрической энергии вызывает дополнительное движение.
  12. Позвольте образцу уравновешиваться в течение одной минуты.
  13. Примените плотность входного тока к образцу. Из-за малого поперечного сечения ток должен быть достаточно низким, даже при больших плотностях тока, что это не приведет к значительному повышению температуры ( Уравнение ) В tОн измеряет сечение. Максимальное повышение температуры в центре измерительной секции зависит от геометрии образца и свойств материала, как обсуждается ниже.
  14. Чтобы изображение образца находилось в стационарном состоянии, держите его под электронным лучом в течение минуты, удерживая ток до получения изображений. Разрешение образца уравновешиваться таким образом применяется после любого изменения механической или электрической нагрузки.

Representative Results

Подготовка и тестирование, как описано выше, должны привести к тому, что образец, который разрушается на своем датчике, аналогичен образцу монокристаллической меди (SCC), показанному на рисунке 6а . Механический сбой должен сопровождаться большим увеличением сопротивления, подтверждающим, что образец SCC электрически изолирован изолированными шайбами ​​и оксидной оболочкой из кремниевой рамы. Плоские дислокации в образце должны наблюдаться с использованием режима яркого поля ТЕА, сфокусированного вблизи оси зоны. Постепенно увеличивая напряжение до достижения напряжения потока (состояние равновесия после выхода), движения дислокаций должны быть видны ( рис. 6, б ). При дополнительном растяжении и / или приложенном токе соответствующие перемещения дислокаций могут непрерывно контролироваться.

фигура7 показаны репрезентативные изображения во время эксперимента EAD на образце SCC 13 . После деформации образца до его равновесного состояния после выхода, дополнительная деформация была применена без применения какого-либо тока (см . Рис. 7, б 1 ). Это привело к появлению новой дислокационной петли (или, возможно, второго скользящего скольжения), как показано стрелкой на рисунке 7b 2 . Без изменения деформации была применена плотность тока 500 А / мм 2 , но это не вызывало заметного движения в любой дислокации ( рис. 7, б 3 ). Ток удаляли, образец поддерживали постоянным в течение одной минуты, и напряжение снова увеличивали, снова приводя к заметным изменениям в дислокационной петле, обозначенной стрелкой на фиг. 7b 4 . Этот результат иллюстрирует потенциал этой процедуры для изоляции тепловых и электрических эффектов, связанных с деформацией с электроприводом. Эксперименты с более высокой плотностью тока (до 5 кА / мм 2 ) также были выполнены с использованием этой методики, что дает аналогичные результаты - никакого наблюдаемого дополнительного движения дислокаций при отсутствии дополнительной деформации. Использование более высоких плотностей тока подчеркивает способность этой техники устранять термические напряжения, вызванные джоулевым нагревом, которые усложнили предыдущие наборы данных EAD.

Учитывая малый размер участка образца, выбор высококачественного материала имеет первостепенное значение. Например, дефекты микромасштабных материалов, например пустоты, вблизи калибровочной секции, приведут к катастрофическому разрушению образца во время подготовки материала ( рис. 4 г ). Это особенно Поскольку трудно понять, есть ли невидимые дефекты материала в измерительной секции без проведения дополнительных неразрушающих испытаний, таких как рентгеновская дифракционная топография.

Другой ключевой задачей является возможное повреждение поверхности при лазерном или сфокусированном ионном измельчении, включая имплантацию Ga-ионов, индуцированные ионным пучком дислокации и образование аморфных структур при нагреве, вызванном лазером. Большинство поверхностных артефактов можно удалить, используя нежный процесс фрезерования FIB (шаг 3.3). Однако использование этих методов микрообработки все еще требует тщательного рассмотрения, поскольку эти поверхностные дефекты могут изменять микроструктуры образца и в значительной степени влиять на результаты эксперимента EAD. В нашей работе мы использовали изображения ТЕМ с высоким разрешением и дифракционные рисунки, чтобы подтвердить, что наши образцы действительно были первозданной монокристаллической меди . Рисунок 6 c .

Content "fo: keep-together.within-page =" 1 "> Следует отметить, что максимальное повышение температуры в центре измерительной секции можно вычислить, используя следующее уравнение 13 : Уравнение где Уравнение - плотность тока, Уравнение - длина калибровочной секции, Уравнение Электрическое сопротивление и Уравнение - теплопроводность. Уравнение указывает, что повышение температуры в калибровочной секции очень чувствительно к Уравнение Так как максимальное увеличение температуры образца напрямую связано с квадратом длины колеи. Например, увеличивая длину измерительной секции на порядок, от 10 мкм М (используется в настоящем исследовании) до 100 мкм, увеличило бы повышение температуры на два порядка. Вместо повышения температуры ~ 0,02 ° C температура увеличилась бы на ~ 2 ° C, и это, вероятно, существенно повлияло бы на это исследование. Кроме того, выбор материала также влияет на повышение температуры. Медь, используемая в этом исследовании, обладает относительно низкими электрическими резистивными и высокими коэффициентами теплопроводности и, как результат, для данной плотности тока ожидаемое повышение температуры в образце меди будет намного меньше по сравнению с другими образцами материала. В качестве примера платина имеет в 6 раз большее удельное сопротивление и в 5 раз меньшую проводимость 17 по сравнению с медью, и в результате ожидается гораздо больший рост температуры (примерно в 30 раз) для случая платины, когда длина датчика и заданная плотность тока являются одна и та же.

P_upload / 55735 / 55735fig1.jpg "/>
Рисунок 1: Микромеханическая электромеханическая испытательная система (MEMTS). Это изображение представляет собой трехмерную (3D) схему, показывающую важные компоненты и то, как образцы вписываются в держатель ТЕА. Только провода, соединяющие образец с выводами на держателе ТЕА, не показаны. Нажмите здесь, чтобы просмотреть увеличенную версию этого рисунка.

фигура 2
Рисунок 2: Процесс изготовления кремниевых фреймов. Голая пластина Si ( a ) покрыта спин-фильтром с помощью фоторезиста ( b ), который затем рисуется с использованием фотолитографии. Экспонированный фоторезист развивается, чтобы обнажить подложку Si ( c ). Пластина временно связана с более толстой опорной пластиной и реактивнойИонного травления (RIE) используется для травления через более тонкую верхнюю пластину ( d - e ). Ацетон используется для удаления фоторезиста и для отсоединения опорной пластины ( f ). Затем на всю поверхность выгравированной пластины ( g ) наносят слой оксида кремния. Наконец, отдельные рамы отделены от пластины, осторожно вытаскивая их без их опорных вкладок ( h ). Нажмите здесь, чтобы просмотреть увеличенную версию этого рисунка.

Рисунок 3
Рисунок 3: Изготовление металлических образцов. Оптические изображения ( а ) массива образцов меди ( б ) отдельного образца и ( в ) увеличенный вид измерительной секции. Шаги процесса изготовления показаны в ( d b ). Обе стороны тонкой фольги покрыты фоторезистом для защиты образца во время лазерной резки ( d , сверху). Структуры обрабатываются лазером ( d , второй), а затем вытравливаются для получения гладких краев ( d , третий). Многие образцы могут быть изготовлены из одного производственного цикла, как показано на ( a ). Наконец, фоторезист снимают и отдельные образцы осторожно удаляют с листа образца ( d , bottom). Нажмите здесь, чтобы просмотреть увеличенную версию этого рисунка.

Рисунок 4
Рисунок 4: Изображения фрезерования фокусированного ионного пучка (FIB). На изображении ( а ) показан образец, прикрепленный к раме Si и крупным планом(Вставка) опоры образца после ее лазерной резки. Изображения ( b ) - ( e ) показывают, что сечение измерителя становится все более тоньше во время последовательных проходов FIB. Каждый проход удаляет меньше материала для улучшения отделки поверхности и уменьшения изменений свойств материала из-за процесса измельчения. Тем не менее, возможно, что дефекты дефектов колеи остаются ( f ), что может привести к разрушению материала даже до нанесения какой-либо деформации ( г ). Нажмите здесь, чтобы просмотреть увеличенную версию этого рисунка.

Рисунок 5
Рисунок 5: Образец, установленный в держателе ТЕА. ( А ) и ( б ) показывают собранный образец в держателе ТЕА и конечный размер калибровочной секции с гладкими поверхностями, используя генTle FIB фрезерование. Когда образец прикрепляется к раме Si, а серебряные проводы прикрепляются с использованием проводящей эпоксидной смолы ( c ), два круглых отверстия в раме Si используются для крепления образца в держателе TEM. Непроводящие шайбы используются для изоляции образца от держателя ТЕА. Наконец, серебряные провода прикрепляются к держателям держателей TEM с помощью проводящей эпоксидной смолы. Изменено 13 , с разрешения AIP Publishing. Нажмите здесь, чтобы просмотреть увеличенную версию этого рисунка.

Рисунок 6
Рисунок 6: Репрезентативная монокристаллическая медь (SSC). ( А ) показывает измерительную секцию (местоположение А на рис. 1 ), выполненную после отказа измерительной секции. ( B C ) показана дифракционная картина в измерительной секции. Изменено 13 , с разрешения AIP Publishing. Нажмите здесь, чтобы просмотреть увеличенную версию этого рисунка.

Рисунок 7
Рисунок 7: Экспериментальные TEM-изображения in situ EAD. Эти изображения показывают механические и электрические нагрузки на движение дислокации. ( B1 ) - ( b4 ) показывают масштабное изображение области ( b ) в ( a ). ( B1 ) показывает образец в состоянии равновесия после выхода. ( B2 ) идентифицирует образование дислокационной петли в результате дополнительной деформации за пределами состояния, указанного в ( b3 ). Когда напряжение снова увеличилось, снова были замечены дальнейшие изменения дислокаций ( b4 ). Перепечатано 13 , с разрешения AIP Publishing. Нажмите здесь, чтобы просмотреть увеличенную версию этого рисунка.

Discussion

Микро / нанотехнология предложила мощные инструменты для характеристики поведения материала в аналитических камерах, включая сканирование 16 , 18 , 19 , 20 , 21 и просвечивающие электронные микроскопы 13 , 22 , 23 , 24 . Такие возможности для тестирования на месте очень привлекательны для научного сообщества и инженерного сообщества, поскольку фундаментальные микроструктуры и основные механизмы деформации могут быть непосредственно обнаружены с использованием электронной микроскопии высокого разрешения 25 , 26 .

Здесь мы представили метод, основанный на микроуровне, для исследования связанного электрического и механического поведения образцов материала с использованием уникального advАнтагоны in situ TEM. Шаги в этом подходе требуют среднего опыта использования фотолитографии, оборудования для реактивного ионного травления, электронных микроскопов, доступа и обучения на высококачественной системе лазерной обработки, такой как используемая здесь. Несмотря на то, что сборка образцов и держателей кремния осуществляется с использованием простых средств: серебряной эпоксидной смолы и основного светового микроскопа, необходимо соблюдать осторожность, чтобы не повредить секцию измерителя образца. Это верно при обращении с образцом. Необходимо также проявлять осторожность во время окончательных процессов измельчения меди из медных образцов. Уменьшение ускоряющего напряжения (5 кВ) и тока (<80 пА) 27 во время окончательной полировки уменьшит возможный повреждение образца 28 и создаст гладкую бездефектную серию измерительных приборов. Еще один важный момент, который следует помнить, - проверить, что образец электрически изолирован от держателя ТЕА, чтобы гарантировать, что приложенный ток проходит через измерительную секциюКак только начнется эксперимент.

Процесс травления валиком включает в себя некоторые этапы, которые имеют решающее значение для изготовления хорошей рамы для образца EAD. Временное связывание поддерживающей пластины 500 мкм с пластиной толщиной 180 мкм с однородным временным адгезионным покрытием между пластинами важно не только для помощи в обработке хрупкой травильной пластины, но и опорная пластина также облегчает передачу тепла во время процесса плазменного травления. Недостаточный перенос тепла может привести к травлению маски PR и последующему нецелевому травлению кремниевой рамы. Также важно периодически измерять глубину траншей траншеи. Более тонкая верхняя кремниевая пластина должна быть полностью протравлена, но должно быть минимальное травление на опорной пластине, чтобы она могла действовать как равномерный теплоотвод к более тонкой пластине. Наконец, важно тщательно очистить выгравированную пластину ацетоном, а затем промыть водой DI до осаждения SiO 2, чтобы свести к минимуму любые оставшиеся повторныеsidues.

Экспериментальные изображения EAD, показанные здесь, представляют собой то, что можно ожидать, но можно внести изменения в разрешение, дозировку и частоту кадров, чтобы обеспечить лучшее наблюдение и количественную оценку дислокаций. Кроме того, программное обеспечение обработки изображений может быть использовано для анализа серии изображений ТЕА с расширенным разрешением.

MEMTS предлагает несколько уникальных преимуществ для изучения поведения электромеханических материалов. Эта система позволяет прямое наблюдение за наномасштабными явлениями, которые регулируют деформации макромасштабированных материалов при электромеханической нагрузке. Во-вторых, узлы образцов с малым поперечным сечением обеспечивают возможность применения значительных плотностей электрического тока с использованием малой величины тока, тем самым устраняя проблемы безопасности, присущие использованию высокомощных приборов. Например, при использовании плотности тока от 1000 А / мм 2 до секции 1 мм 2 требуется 1 кА по сравнению с1 мА, если поперечное сечение датчика было уменьшено до 1 мкм 2 . Что еще более важно, использование более низких токовых вспомогательных средств в термическом управлении. MEMTS также уникален тем, что его выравнивание и сборка не требуют дорогостоящего оборудования и не требуют больших затрат времени по сравнению с другими методами сборки на основе микроустановки.

Описанный здесь метод хорошо подходит для электромеханических испытаний металлов, керамики и полимеров, но также может быть использован для изучения электромеханического поведения, зависящего от микроструктуры, в каждом из этих классов материалов. Например, влияние одно- и поликристалличности, ориентации зерен, размера зерен, распределения фаз и плотности дефектов на электромеханическое поведение можно исследовать путем подготовки репрезентативных образцов. Взгляды, полученные в результате такого всестороннего исследования, могут обеспечить понимание, необходимое для дальнейшего понимания механизма (ов) EAD и продвижения производственных возможностей EAD. Говоря больше broaMEMTS может быть полезной платформой для изучения других устройств, которые используют термоэлектрическую связь. Например, его можно использовать для наблюдения за материалами, используемыми в термоэлектрических охладителях, которые преобразуют приложенное напряжение в разность температур через эффект Зеебека.

Хотя эксперименты, выполненные с использованием описанного здесь процесса, еще не показали, что деформация с электроприводом происходит в отсутствие значительного джоулева нагрева, необходимы дальнейшие эксперименты. В описанном здесь процессе использовался небольшой набор экспериментальных условий и сосредоточен на локализованной области. Для более точного подтверждения существования или отсутствия чисто электрических эффектов в EAD необходим более полный набор экспериментов с использованием нескольких материалов, плотности тока и временных масштабов. Одним из технических ограничений нынешнего подхода MEMTS является отсутствие возможности для количественной оценки силы, действующей на образец во время экспериментов на месте . Необходима силовая мера( Например , количественно идентифицировать, когда образец достиг потокового напряжения), и, в сочетании с наблюдениями in situ , непосредственно обеспечивает отношения микроструктуры и свойств. К этой уникальной исследовательской возможности мы в настоящее время работаем над модификацией рамок Si для включения встроенных датчиков силы.

Disclosures

Авторы заявляют, что у них нет конкурирующих финансовых интересов.

Acknowledgments

Эта работа была поддержана постдокторской стипендией ASEE-NRL и Управлением военно-морских исследований в рамках основной исследовательской программы Военно-морской лаборатории США. Авторы благодарят C. Kindle в NRL за его техническую поддержку.

Materials

Name Company Catalog Number Comments
Silicon wafers Any high-quality polished wafers of the correct thickness will work
Photoresist Dow SR220-7
Photoresist developer Shipley MF 24A
Photoresist developer Rohm and Haas MF 319
Temporary wafer adhesive Crystalbond 509 Available from a variety of sources
Iductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching (CP-RIE) system Oxford Plasmalab system 100 ICP RIE
Profilometer Veeco Dektak 150
Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) system Oxford Plasmalab system 100 PECVD
Thin specimen sheet Surepure Chemetals 3702, 3703, 3704 or 2236 13 µm and 25 µm-thick copper, 99.99% 4N Pure
Photoresist Shipley 1818
355 nm, 10 W, solid-state, frequency tripled Nd:YVO4 pulsed laser JDSU Q301-HD
Liquid ferric chloride Sigma-Aldrich 157740
Conductive silver epoxy Chemtronics CW2400
Silver wires Any highly conductive metallic wires will work (<100 µm in diameter)
Focused Ion Beam (FIB) FEI Nova 600
Single tilt straining TEM holder Gatan 654
Displacement controller Gatan 902 Accutroller May be sold with the TEM holder
CO2 laser cutter Universal Laser Systems VLS 3.50 Use 50% power and 15% speed
Electrical insulation sheet 0.5 mm-thick Hard Fiber Electrical Grade Sheet (Fishpaper) Available from a variety of sources
Transmission Electron Microscope (TEM) FEI Tecnai G2
External power supply Keithley 2400 SourceMeter

DOWNLOAD MATERIALS LIST

References

  1. Ross, C. D., Kronenberger, T. J., Roth, J. T. Effect of dc on the formability of Ti-6Al-4V. J Eng Mater-T ASME. 131 (3), 031004 (2009).
  2. Siopis, M. S., Kinsey, B. L. Experimental investigation of grain and specimen size effects during electrical-assisted forming. J Manuf Sci Eng-T ASME. 132 (2), 021004 (2010).
  3. Green, C. R., McNeal, T. A., Roth, J. T. Springback Elimination for Al-6111 Alloys Using Electrically Assisted Manufacturing (EAM). 37th Annual North American Manufacturing Research Conference. 37, Greenville, SC. 403-410 (2009).
  4. Okazaki, K., Kagawa, M., Conrad, H. A study of the electroplastic effect in metals. Scr Mater. 12 (11), 1063-1068 (1978).
  5. Sprecher, A. F., Mannan, S. L., Conrad, H. Overview no. 49. On the mechanisms for the electroplastic effect in metals. Acta Metall. 34 (7), 1145-1162 (1986).
  6. Perkins, T. A., Kronenberger, T. J., Roth, J. T. Metallic forging using electrical flow as an alternative to warm/hot working. J Manuf Sci Eng-T ASME. 129 (1), 84-94 (2007).
  7. Andrawes, J. S., Kronenberger, T. J., Perkins, T. A., Roth, J. T., Warley, R. L. Effects of DC current on the mechanical behavior of AlMg1SiCu. Mater Manuf Process. 22 (1), 91-101 (2007).
  8. Dzialo, C. M., Siopis, M. S., Kinsey, B. L., Weinmann, K. J. Effect of current density and zinc content during electrical-assisted forming of copper alloys. CIRP Ann Manuf Techn. 59 (1), 299-302 (2010).
  9. Fan, R., Magargee, J., Hu, P., Cao, J. Influence of grain size and grain boundaries on the thermal and mechanical behavior of 70/30 brass under electrically-assisted deformation. Mater Sci Eng A. 574, 218-225 (2013).
  10. Magargee, J., Morestin, F., Cao, J. Characterization of Flow Stress for Commercially Pure Titanium Subjected to Electrically Assisted Deformation. J Eng Mater Technol. 135 (4), 041003 (2013).
  11. Kinsey, B., Cullen, G., Jordan, A., Mates, S. Investigation of electroplastic effect at high deformation rates for 304SS and Ti-6Al-4V. CIRP Ann - Manuf Technol. 62 (1), 279-282 (2013).
  12. Williams, D. B., Carter, C. B. Transmission electron microscopy. , 2nd edn, Springer. (2008).
  13. Kang, W., Beniam, I., Qidwai, S. M. In situ electron microscopy studies of electromechanical behavior in metals at the nanoscale using a novel microdevice-based system. Rev Sci Instrum. 87 (9), (2016).
  14. Kim, M. J., et al. Electric current-induced annealing during uniaxial tension of aluminum alloy. Scr Mater. 75, 58-61 (2014).
  15. Knowles, M. R. H., Rutterford, G., Karnakis, D., Ferguson, A. Micro-machining of metals, ceramics and polymers using nanosecond lasers. Int J Adv Manuf Tech. 33 (1-2), 95-102 (2007).
  16. Kang, W., Saif, M. T. A. A novel SiC MEMS apparatus for in situ uniaxial testing of micro/nanomaterials at high temperature. J Micromech Microeng. 21 (10), (2011).
  17. Callister, W. D. Materials Science and Engineering: An Introduction. , 7th edn, John Wiley & Sons, Inc. (2007).
  18. Kang, W., Saif, M. T. A. A Novel Method for In Situ Uniaxial Tests at the Micro/Nano Scale-Part I: Theory. J Microelectromech Syst. 19 (6), 1309-1321 (2010).
  19. Kang, W., Han, J. H., Saif, M. T. A. A Novel Method for In Situ Uniaxial Tests at the Micro/Nanoscale-Part II: Experiment. J Microelectromech Syst. 19 (6), 1322-1330 (2010).
  20. Kang, W. M., Saif, M. T. A. In Situ Study of Size and Temperature Dependent Brittle-to-Ductile Transition in Single Crystal Silicon. Adv Func Mater. 23 (6), 713-719 (2013).
  21. Sim, G. D., Vlassak, J. J. High-temperature tensile behavior of freestanding Au thin films. Scr Mater. 75, 34-37 (2014).
  22. Haque, M. A., Saif, M. T. A. Deformation mechanisms in free-standing nanoscale thin films: A quantitative in situ transmission electron microscope study. Proc Natl Acad Sci U S A. 101 (17), 6335-6340 (2004).
  23. Zhu, Y., Espinosa, H. D. An electromechanical material testing system for in situ electron microscopy and applications. Proc Natl Acad Sci U S A. 102 (41), 14503-14508 (2005).
  24. Hosseinian, E., Pierron, O. N. Quantitative in situ TEM tensile fatigue testing on nanocrystalline metallic ultrathin films. Nanoscale. 5 (24), 12532-12541 (2013).
  25. Kang, W., Rajagopalan, J., Saif, M. T. A. In Situ Uniaxial Mechanical Testing of Small Scale Materials-A Review. Nanosci Nanotechnol Lett. 2 (4), 282-287 (2010).
  26. Kang, W., Merrill, M., Wheeler, J. M. In Situ Thermomechanical Testing Methods for Micro/Nano-Scale Materials. Nanoscale. , (2016).
  27. Thompson, K., Gorman, B., Larson, D., Bv Leer,, Hong, L. Minimization of Ga Induced FIB Damage Using Low Energy Clean-up. Microsc Microanal. 12 (S02), 1736-1737 (2006).
  28. Mayer, J., Giannuzzi, L. A., Kamino, T., Michael, J. TEM sample preparation and FIB-induced damage. MRS Bulletin. 32 (5), 400-407 (2007).

Tags

Engineering электромеханическое поведение характеристика материала in situ наноспецифики просвечивающая электронная микроскопия микросистема лазерное паттернирование
Новый метод для<em&gt; Разное</em&gt; Электромеханическая характеристика наноразмерных образцов
Play Video
PDF DOI DOWNLOAD MATERIALS LIST

Cite this Article

Reid, R. C., Piqué, A., Kang,… More

Reid, R. C., Piqué, A., Kang, W. A Novel Method for In Situ Electromechanical Characterization of Nanoscale Specimens. J. Vis. Exp. (124), e55735, doi:10.3791/55735 (2017).

Less
Copy Citation Download Citation Reprints and Permissions
View Video

Get cutting-edge science videos from JoVE sent straight to your inbox every month.

Waiting X
Simple Hit Counter