/
/
Leicht verbesserte Flusssäure Passivierung: eine empfindliche Technik zum Nachweis von Bulk-Silizium-Defekte
A subscription to JoVE is required to view this content. Sign in or start your free trial.
Chapters
- 00:05Title
- 01:02Cleaning and Etching the Silicon Wafers
- 04:08Silicon Wafer Passivation and Photoconductive (PC) Measurement
- 07:08Results: Silicon Wafer Photoconductive Measurement after Surface Passivation
- 08:10Conclusion
A RT flüssige Oberflächenpassivierung Technik, um die Rekombination Aktivität von Bulk-Silizium-Defekte zu untersuchen beschrieben. Für die Technik erfolgreich ist, drei kritische Schritte erforderlich sind: (i) chemische Reinigen und Ätzen von Silizium, (ii) Eintauchen des Silizium in 15% Fluorwasserstoffsäure und (iii) Beleuchtungs für 1 min.
Tags
Light Enhanced Hydrofluoric Acid PassivationSurface PassivationSilicon DefectsHigh-purity Silicon WafersSolar CellsRoom Temperature MeasurementRecombination ActivityLow ConcentrationsDI WaterChemical Cleaning ProceduresSolution PreparationHydrofluoric Acid PreparationSetup And Equipment CalibrationSilicon Wafer CleaningChemical Treatments
