/
/
Свет Enhanced плавиковой кислоты пассивация: чувствительного метода для обнаружения объемного кремния дефекты
A subscription to JoVE is required to view this content. Sign in or start your free trial.
Chapters
- 00:05Title
- 01:02Cleaning and Etching the Silicon Wafers
- 04:08Silicon Wafer Passivation and Photoconductive (PC) Measurement
- 07:08Results: Silicon Wafer Photoconductive Measurement after Surface Passivation
- 08:10Conclusion
Поверхности жидкости техника пассивации РТ исследовать рекомбинации деятельность сыпучих кремния дефектов описана. Для техника, чтобы быть успешным, три критические шаги: (I) химическую очистку и травление кремния, (II) погружение кремния в 15% плавиковой кислоты и (III) освещения в течение 1 мин.
