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大面積垂直 2次元結晶ヘテロ構造デバイス作製のための遷移金属薄膜の硫化からの準備

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Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication

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大面積垂直 2次元結晶ヘテロ構造デバイス作製のための遷移金属薄膜の硫化からの準備

DOI:

10.3791/56494-v

•

08:50 min

•

November 28, 2017

•

Chong-Rong Wu², Tung-Wei Chu³, Kuan-Chao Chen², Shih-Yen Lin²

¹Graduate Institute of Electronics Engineering,National Taiwan University, ²Research Center for Applied Sciences,Academia Sinica, ³Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,National Taiwan University

Capítulos

00:05Título
00:47WS₂/MoS₂Vertical Heterostructure Growth
03:49Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Thin Film Transfer
06:21Results: Growth Mechanisms and Transistor Performance
08:11Conclusion

Summary

Tadução automática

事前に堆積した遷移金属の硫化による大面積と垂直方向の 2次元結晶ヘテロ構造を加工できます。本報告ではフィルムの転送とデバイス作製手順も示します。

Tags

Keywords: 2D Crystal Heterostructures Vertical 2D Materials Sulfurization Transition Metal Films Device Fabrication RF Sputtering Sapphire Substrate Molybdenum Target Sulfur Powder Tube Furnace Argon Gas Molybdenum Disulfide Tungsten Target

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